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    浙商證券:氮化鎵,第三代半導體后起之秀,下游滲透潛力巨大

    浙商證券 2023-07-04 08:49:26

    氮化鎵(GaN)是最具代表性的第三代半導體材料之一,禁帶寬度達到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優的抗輻照能力,使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領域大有作為。隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數據中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提價。

    氮化鎵襯底制備技術正不斷突破,或成降本增效關鍵點

    目前GaN單晶襯底以2-3英寸為主,4英寸已實現商用,6英寸樣本正開發。GaN體單晶襯底的主要方法有氫化物氣相外延法、氨熱法,以及助熔劑法;利用各生長方法優勢互補有望解決單一生長方法存在的問題,進而提升GaN晶體質量、降低成本及推動規模量產。

    射頻電子領域、電力電子領域以及光電子領域為GaN主要應用方向GaN是目前能同時實現高頻、高效、大功率的代表性器件,在5G基站、新能源充電樁等新基建代表中均有所應用。GaN器件是支撐“新基建”建設的關鍵核心部件,有助于“雙碳”目標實現,推動綠色低碳發展。

    伴隨下游新應用規模爆發,GaN器件有望持續放量2017年-2021年國內GaN功率器件與射頻器件市場規模從9.2億元/12.1億元增長至17.6億元/73.3億元,CAGR分別為17.6%和56.9%。未來,隨著新基建、新能源、新消費等領域的持續推進,GaN器件在國內市場的應用呈現出快速增長的態勢。

    隨著國家政策的推動和市場的需求,GaN器件在5G基站、數據中心有望集中放量,穩定增長。2021年我國5G基站用GaN射頻規模36.8億元。2023年以后,毫米波基站部署將成為拉動市場的主要力量,帶動國內GaN微波射頻器件市場規模成倍數增長。

    GaN器件在“快充”場景引領下,有望隨中國經濟的復蘇和消費電子巨大的存量市場而不斷破圈。根據Yole預測,2020年全球GaN功率市場規模約為4600萬美元,預計2026年可達11億美元,2020-2026年CAGR有望達到70%。GaN器件在太陽能逆變器、風力發電、新能源汽車等方面將隨著技術不斷進步陸續“上車”。

    風險提示:產品研發速度、下游推廣不及預期;相關高景氣度下游增速放緩,滲透率不及預期等。

    本文來源:浙商證券研報《浙商證券金屬新材料行業專題報告:氮化鎵,第三代半導體后起之秀,下游滲透潛力巨大》

    (本文內容僅供參考,不作為投資依據,據此入市,風險自擔)

    封面圖片來源:每日經濟新聞 劉國梅 攝

    責編 何建川

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