中國出手，鍺鎵出口全面管制，半導體設備材料ETF受關注

重磅消息！商務部和海關總署對鎵、鍺相關物項實施出口管制。年初以來，美國、日本、荷蘭輪番對高端半導體設備管控升級，想方設法卡住國產芯片的脖子。 這次我國點名進行出口管制的鍺、鎵，都是戰略性的基礎原料，也是半導體制造的核心材料。市場將此次管控解讀為是針對海外制裁的反制措施。 無論是國外對我們半導體設備的限制，還是我們在半導體材料方面的反擊，無一不說明半導體設備和材料在整個產業鏈中的關鍵性地位。所以，日前全市場首只半導體設備材料ETF（159516）一經獲批就受到市場關注，據悉該產品也將于近期發行。 那么，鎵和鍺具體有什么用途，中國對其的出口管制影響力有多大呢？ 鎵和鍺可不是普通的金屬元素，這兩位早已被列入國家戰略性礦產名錄中。在電子器件領域，鎵和鍺的應用非常廣泛，例如鎵基化合物半導體器件、鍺硅器件、鍺光電器件、鍺壓力傳感器等。 鎵全球的需求占比分別LED（59%）、永磁（19%）、無線通訊+功率器件（13%）、光伏（4%）左右。4N-5N純度的金屬鎵主要用于太陽能電池、氣體傳感器、稀土永磁材料等領域，6N及以上純度的金屬鎵主要用于制造砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體。目前，化合物半導體是我國金屬鎵最大消費領域，占消費量65%左右。 鍺的消費主要分布在紅外光學（30%）、光纖電纜（20%）、太陽能（15%）、PET催化劑（20%），特別是在半導體領域，是第一代半導體和未來化合物半導體的主要原料。 鎵和鍺全球對中國的依賴程度很高，鎵的中國供給占比97%（2020年數據）、原生鍺的供給占比為70%以上，對全球的供給均具有很強的定價權。 申萬宏源證券認為，舉國體制催化下，半導體設備國產化持續加速。從國產化率來看，光刻機、關鍵核心層的刻蝕、金屬層的薄膜沉積、離子注入、檢測設備等難度較大的設備，目前國內替代率低。從工藝制程覆蓋角度看，國內主流設備廠商在多個環節中可覆蓋28nm及以上的應用，可實現對下游的批量供應；先進制程國產化將成為未來核心推動環節，半導體設備板塊將持續加速受益。 在半導體筑底回升預期，和自主可控加速國產替代的背景下，國內半導體設備材料的投資機會值得重點關注。半導體設備材料ETF有望進一步引導資金投向"高精尖"的硬科技領域，助力投資者把握半導體景氣周期與自主可控行情。 注："首只"是指目前市場上首只聚焦于半導體設備材料的ETF。市場觀點隨市場環境變化而變動，不構成任何投資建議或承諾。提及基金屬于股票型基金，其預期收益及預期風險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。提及基金為指數型基金，主要采用完全復制策略，其風險收益特征與標的指數所表征的市場組合的風險收益特征相似。如需購買相關基金產品，請您關注投資者適當性管理相關規定，提前做好風險測評，并根據您自身的風險承受能力購買與之相匹配的風險等級的基金產品?；鹩酗L險，投資需謹慎。