每日經濟新聞 2023-06-08 22:16:33
每經記者 張明雙 每經編輯 楊夏
作為第三代半導體材料的主要代表,碳化硅賽道持續火熱。
6月7日晚,三安光電(SH600703,股價19.03元,市值949.41億元)公告宣布,公司全資子公司湖南三安半導體有限責任公司(以下簡稱“湖南三安”)與意法半導體(中國)投資有限公司(以下簡稱“意法半導體”)擬在重慶共同設立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產的合資代工公司,合資公司由湖南三安控股,預計投入總金額32億美元(約合人民幣228億元);同時,三安光電擬在重慶獨資設立子公司生產碳化硅襯底作為配套,預計投資總額70億元。
公開資料顯示,意法半導體(中國)投資有限公司是半導體巨頭意法半導體有限公司(ST)的中國子公司。
三安光電稱,本次合作,體現了公司碳化硅業務在國際市場的實力,促進了公司碳化硅產品在新能源汽車、充電樁、光伏發電、高壓輸電等領域的市場應用,強化了公司交付產品和服務客戶的保障能力。
不過三安光電此次合作并未帶動二級市場股價上漲,6月8日,三安光電早盤低開,截至收盤,股價跌幅為6.12%。
將生產8吋碳化硅晶圓
三安光電公告顯示,合資代工公司暫定名三安意法半導體(重慶)有限公司,注冊資本為6.12億美元,三安光電全資子公司湖南三安半導體有限責任公司(以下簡稱湖南三安)持股51%,意法半導體持股49%,均以貨幣資金分期出資。
合資公司主要從事碳化硅外延、芯片生產,項目在取得各項手續批復后開始建設,預計于2025年完成階段性建設并逐步投產,2028年達產,規劃達產后生產8吋碳化硅晶圓10000片/周。同時,湖南三安全資控股的重慶三安半導體有限責任公司(暫定名)將設立8英寸碳化硅襯底工廠,以滿足合資工廠的襯底需求,并與其簽訂長期供應協議。達產后,規劃生產8吋碳化硅襯底48萬片/年。
對于合資公司產品生產與銷售,雙方也有約定。合資公司使用ST International同意的知識產權制造碳化硅晶圓并全部僅銷售給獨家購買方ST International或ST International指定的任何實體。本次合作“實行供應封閉運行”,三安光電稱,將有利于推動電動汽車行業節能的發展,降低產品成本,推進產品市場滲透率提升,提高雙方產品市場占有率。
目前,全球碳化硅領域6英寸襯底技術較為成熟,不少國際碳化硅企業如Wolfspeed、Soitec等紛紛開啟8英寸襯底、晶圓的開發工作。“湖南三安也是6英寸、8英寸并線了。”6月8日,三安光電相關負責人接受《每日經濟新聞》記者電話采訪時表示,相較于6英寸晶圓,8英寸晶圓的經濟性更高,根據行業相關數據,從6英寸升級到8英寸,合格芯片產量可以增加80%-90%;同時8英寸晶圓厚度增加可以減少邊緣翹曲度,降低缺陷密度,從而提升良率,將單位綜合成本降低15%。
碳化硅賽道投資熱度高
記者注意到,2020年后,三安光電對碳化硅領域的投資力度明顯加大。2020年6月,三安光電決定在長沙成立子公司投資建設碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目,包括長晶-襯底制作-外延生長-芯片制備-封裝產業鏈,投資總額160億元。
隨后三安光電設立湖南三安作為碳化硅垂直產業鏈制造平臺,并通過湖南三安不斷增加碳化硅產業的投資。2020年,湖南三安收購福建北電新材料科技有限公司,其主營業務為碳化硅晶體生長、襯底片制造;2022年,湖南三安與理想汽車合資成立蘇州斯科半導體有限公司,規劃年產240萬只碳化硅半橋功率模塊;2023年,湖南三安與意法半導體成立合資工廠。
上述負責人表示,湖南三安正處于投入期,但產能上量比較快。2022年報顯示,湖南三安實現銷售收入6.39億元,同比增長909.48%;碳化硅二極管累計出貨量超一億顆,且有7款通過車規認證并開始逐步出貨。
實際上,在新能源汽車持續擴大市場規模的背景下,碳化硅賽道持續火熱。據Yole數據顯示,全球碳化硅功率器件市場規模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元,年均復合增長率達34%。
國內碳化硅廠商也在加大投資進行擴產。襯底方面,2022年IPO上市的天岳先進(SH688234,股價74.5元,市值320億元)擬投資20億元用于募投項目碳化硅半導體材料項目,達產后將新增產能約 30 萬片/年;露笑科技(SZ002617。SZ,股價7.02元,市值135億元)2022年7月完成25.67億元增發用于推進碳化硅項目,項目完成后將形成年產24萬片6英寸導電型碳化硅襯底片的生產能力。
碳化硅器件方面,2023年,士蘭微(SH600460,股價29.92元,市值423.69億元)正在推進定增事項,其中7.5億元用于SiC功率器件生產線建設項目,達產后將新增年產14.4萬片SiC MOSFET/SBD芯片的生產能力;振華科技(SZ000733,股價82.78元,市值430.8億元)正在推進定增事項,其中包括建設一條12萬片/年產能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線。
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